Chińczycy przyspieszają. Amerykanie i Koreańczycy mają problem

CXMT coraz szybciej zmniejsza dystans. Chińczycy sięgnęli po tlenek hafnu, który ma pomóc im w dalszym zmniejszaniu tranzystorów i walce z gigantami.Rynek pamięci DRAM od lat zdominowany jest przez trzy firmy z Korei Południowej i USA - Samsunga, SK hynix oraz Microna. Wygląda jednak na to, że coraz śmielej rozpycha się na nim chińskie CXMT. Najnowsza analiza ujawniła, że producent z Państwa Środka z powodzeniem wdrożył technologię HKMG w swoim procesie G4 oraz kościach LPDDR5X.CXMT nadal jest z tyłu, ale dystans szybko malejeHKMG, czyli High-k Metal Gate, zastępuje stosowany wcześniej izolator krzemowy materiałem o znacznie wyższej stałej dielektrycznej. W przypadku CXMT chodzi o tlenek hafnu (HfO₂), który pozwala skuteczniej ograniczać prądy upływu przy coraz mniejszych tranzystorach. Technologia wykorzystuje też metalową bramkę zamiast polikrzemowej, co dodatkowo poprawia sprawność i szybkość działania układu.