Chiny usunęły przeszkodę. Ograniczenia eksportowe coraz mniej bolesne

Chińska branża półprzewodników ma kolejny powód do świętowania. Tym razem chodzi o jeden z najważniejszych elementów akceleratorów AI.ChangXin Memory Technologies, czyli największy chiński producent DRAM, rozpoczął wytwarzanie pamięci HBM3E w niewielkich ilościach. Firma weszła tym samym na poziom wykorzystywany obecnie w wielu najwydajniejszych akceleratorach sztucznej inteligencji. Produkcja pozostaje jednak na wczesnym etapie, a uzysk ma nadal sprawiać problemy.Masowa produkcja ma ruszyć pełną parą w 2027 rokuRóżnica względem liderów rynku pozostaje zauważalna. Samsung, SK hynix i Micron produkują już HBM4, podczas gdy SK hynix dostarczył klientom pierwsze próbki jeszcze szybszych HBM4E. CXMT jest więc obecnie przynajmniej o jedną generację z tyłu, chociaż jeszcze niedawno chińskie możliwości w tym segmencie wyglądały znacznie skromniej.